CM10N60AFZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CM10N60AFZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO220FH
Аналог (замена) для CM10N60AFZ
CM10N60AFZ Datasheet (PDF)
cm10n60afz.pdf

RC1N0FM06AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE21 2
cm10n60az.pdf

RCM10N60AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2
cm10n60f.pdf

RCM10N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 1
cm10n60.pdf

RCM10N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 3
Другие MOSFET... XP151A11B0MR , XP151A12A2MR , XP151A13A0MR , XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , 60N06 , CM10N60AZ , CM10N60F , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 .
History: NCE55P15I | CTLDM7120-M832D | 2SK1061 | BR10N60 | 2N7002K1
History: NCE55P15I | CTLDM7120-M832D | 2SK1061 | BR10N60 | 2N7002K1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140