Аналоги IRF620. Основные параметры
Наименование производителя: IRF620
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IRF620
IRF620 даташит
irf620.pdf
PD - 94870 IRF620PbF Lead-Free 12/5/03 Document Number 91027 www.vishay.com 1 IRF620PbF Document Number 91027 www.vishay.com 2 IRF620PbF Document Number 91027 www.vishay.com 3 IRF620PbF Document Number 91027 www.vishay.com 4 IRF620PbF Document Number 91027 www.vishay.com 5 IRF620PbF Document Number 91027 www.vishay.com 6 IRF620PbF TO-220AB Package Outline
irf620pbf.pdf
IRF620, SiHF620 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.80 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 14 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 3.0 Qgd (nC) 7.9 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D
irf620.pdf
IRF620 IRF620FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID IRF620 200 V
Другие MOSFET... IRF610S , IRF611 , IRF612 , IRF613 , IRF614 , IRF614A , IRF614S , IRF615 , 4435 , IRF620A , IRF620FI , IRF620S , IRF621 , IRF6215 , IRF6215L , IRF6215S , IRF622 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10 | APG024N04G | APG022N06G | APG020N01GD | APG013N04G | APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K
Popular searches
irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet













