1D5N60 - описание и поиск аналогов

 

1D5N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 1D5N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.3 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для 1D5N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1D5N60 даташит

 ..1. Size:121K  jdsemi
1d5n60.pdfpdf_icon

1D5N60

R 1D5N60 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3

Другие MOSFET... CM12N65F , CM13N50 , CM13N50F , CM140N04 , CM15N50 , CM18N20 , CM18N50F , CM18N50P , IRFP460 , CM1N60 , CM1N60C , CM1N60S , CM1N70 , CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.