CM6N60 - описание и поиск аналогов

 

CM6N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CM6N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO220A

Аналог (замена) для CM6N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM6N60 даташит

 ..1. Size:123K  jdsemi
cm6n60.pdfpdf_icon

CM6N60

R C66 MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 3

 0.1. Size:125K  jdsemi
cm6n60f.pdfpdf_icon

CM6N60

Другие MOSFET... CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C , IRF1010E , CM6N60F , CM7N60 , CM7N60F , CM7N65F , CM84N06 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F .

History: IXFC52N30P | WTK9410 | IXFC16N80P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.