Справочник MOSFET. CM6N60

 

CM6N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM6N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220A
 

 Аналог (замена) для CM6N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM6N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  jdsemi
cm6n60.pdfpdf_icon

CM6N60

RC66MN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 2 3

 0.1. Size:125K  jdsemi
cm6n60f.pdfpdf_icon

CM6N60

RC66FMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 21 2 3

Другие MOSFET... CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C , IRF530 , CM6N60F , CM7N60 , CM7N60F , CM7N65F , CM84N06 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F .

History: WMS175N10LG4 | KF4N60D | FRS244R | DHS045N98D | IRLR230A | STP42N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.