Справочник MOSFET. CM7N60F

 

CM7N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM7N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: TO220FH
 

 Аналог (замена) для CM7N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM7N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  jdsemi
cm7n60f.pdfpdf_icon

CM7N60F

RCM7N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 12

 8.1. Size:123K  jdsemi
cm7n60 to220a.pdfpdf_icon

CM7N60F

RCM7N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 3

 9.1. Size:125K  jdsemi
cm7n65f.pdfpdf_icon

CM7N60F

RC76FMN5 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE2 12

Другие MOSFET... CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C , CM6N60 , CM6N60F , CM7N60 , AO4407 , CM7N65F , CM84N06 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F , CM8N65F .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.