CM9N90PZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CM9N90PZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO3PB
Аналог (замена) для CM9N90PZ
CM9N90PZ Datasheet (PDF)
cm9n90pz.pdf

RC99PMN0Z www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 900V N-Channel VDMOS RoHS 1 USP 21
Другие MOSFET... CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F , CM8N65F , CM8N80 , CM8N80F , CM9N20 , AO3401 , CS100N08A8 , CS100N03B8 , CS100N03FB9 , CS10N50A8R , CS10N50FA9R , IRLR9343TR , CS10N60A8R , HGE055NE4A .
History: DMTH6010LPSQ-13 | SSFM1022 | VBZL60N03 | AP8N4R2MT | G2306A | TSM60NB1R4CH | TPC8114
History: DMTH6010LPSQ-13 | SSFM1022 | VBZL60N03 | AP8N4R2MT | G2306A | TSM60NB1R4CH | TPC8114



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124