GN10N65A4 - описание и поиск аналогов

 

GN10N65A4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GN10N65A4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для GN10N65A4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GN10N65A4 даташит

 ..1. Size:396K  wuxi china
 gn10n65a4.pdf pdf_icon

GN10N65A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R GN10N65 A4 General Description VDSS 650 V GN10N65 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 10 A PD(TC=25 ) 110 W VDMOSFETs, is obtained by the double-shield Technology RDS(ON)Typ 0.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

Другие MOSFET... CS10N50A8R , CS10N50FA9R , IRLR9343TR , CS10N60A8R , HGE055NE4A , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , 2N60 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 .

History: ZXM66P03N8 | SW3N10 | RU8590S | SLD65R380E7C | 2SK3870-01 | AOD242 | SI3475DV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.