Справочник MOSFET. GN10N65A4

 

GN10N65A4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GN10N65A4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для GN10N65A4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GN10N65A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  wuxi china
 gn10n65a4.pdf pdf_icon

GN10N65A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R GN10N65 A4 General Description VDSS 650 V GN10N65 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 10 A PD(TC=25) 110 W VDMOSFETs, is obtained by the double-shield Technology RDS(ON)Typ 0.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

Другие MOSFET... CS10N50A8R , CS10N50FA9R , IRLR9343TR , CS10N60A8R , HGE055NE4A , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , IRF830 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 .

History: MSF6N90 | BRCS120N06HA | NCE0117AK | IRFZ14L

 

 
Back to Top

 


 
.