Справочник MOSFET. CS7N70A4R-G

 

CS7N70A4R-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS7N70A4R-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для CS7N70A4R-G

 

 

CS7N70A4R-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  wuxi china
 cs7n70a4r-g.pdf

CS7N70A4R-G CS7N70A4R-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N70 A4R-G General Description VDSS 700 V CS7N70 A4R-G, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25) 120 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.96 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 7.1. Size:347K  wuxi china
 cs7n70ard.pdf

CS7N70A4R-G CS7N70A4R-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N70 ARD General Description VDSS 700 V CS7N70 ARD, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 7 A PD(TC=25) 100 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.5 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:1944K  jilin sino
 jcs7n70v jcs7n70r jcs7n70c jcs7n70f jcs7n70s jcs7n70b.pdf

CS7N70A4R-G CS7N70A4R-G

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 700 V Rdson-max 1.6 @Vgs=10V Qg-typ 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATUR

 8.2. Size:1228K  jilin sino
 jcs7n70fe.pdf

CS7N70A4R-G CS7N70A4R-G

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N70FE Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 700 V Rdson-max(@Vgs=10V) 1.35 Qg-typ 25.3 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURES

 8.3. Size:347K  crhj
 cs7n70 ard.pdf

CS7N70A4R-G CS7N70A4R-G

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N70 ARD General Description VDSS 700 V CS7N70 ARD, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 7 A PD(TC=25) 100 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 1.5 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.4. Size:429K  convert
 cs7n70f cs7n70u.pdf

CS7N70A4R-G CS7N70A4R-G

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS7N70F,CS7N70U700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS7N70F TO-220F CS7N70FCS7N70

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top