Справочник MOSFET. VBA3638

 

VBA3638 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA3638
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA3638

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA3638 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  cn vbsemi
 vba3638.pdf pdf_icon

VBA3638

VBA3638www.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222G1G11N-Channel MOSFET N-Channel

 9.1. Size:690K  cn vbsemi
 vba3695.pdf pdf_icon

VBA3638

VBA3695www.VBsemi.comDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.095 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.100 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterSO-8 DualD2D1

Другие MOSFET... HGE055NE4A , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , RU6888R , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G , VBA2658 , CS12N60FA9R .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7

 

 
Back to Top

 


 
.