VBA3638 - описание и поиск аналогов

 

VBA3638. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBA3638

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBA3638

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA3638 даташит

 ..1. Size:725K  cn vbsemi
 vba3638.pdf pdf_icon

VBA3638

VBA3638 www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G1 G 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel

 9.1. Size:690K  cn vbsemi
 vba3695.pdf pdf_icon

VBA3638

VBA3695 www.VBsemi.com Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available TrenchFET Power MOSFET 0.095 at VGS = 10 V 4.0 60 2.1 nC 100 % Rg Tested 0.100 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS Tested APPLICATIONS Battery Switch DC/DC Converter SO-8 Dual D2 D1

Другие MOSFET... HGE055NE4A , CS10N60FA9R , VBA5638 , CS10N65A8R , GN10N65A4 , CS10N65FA9R , VBA5311 , CS7N70A4R-G , AO3400A , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G , VBA2658 , CS12N60FA9R .

History: DMJ70H1D0SV3 | 1D5N60 | AGM60P90D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.