VBA2658 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBA2658
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 334 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0612 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для VBA2658
VBA2658 Datasheet (PDF)
vba2658.pdf

VBA2658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0480RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0612ID (A) per leg -8SSO-8S1 8 DGS D2 7S3 6 DG D4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted
vba2625.pdf

VBA2625www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.0195 at VGS = - 10 V - 10APPLICATIONS- 60 76 nC0.0250 at VGS = - 4.5 V - 9 Load SwitchSSO-8SD1 8GSD2 7SD3 6GD4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, un
Другие MOSFET... CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G , IRF1405 , CS12N60FA9R , VBA2333 , CS12N65A8R , CS5N65FA9R , CS12N65FA9R , CS12N70A8H , CS13N50A8D , VBA2311 .
History: SVF4N65CADTR | FS50KMJ-03F
History: SVF4N65CADTR | FS50KMJ-03F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet