VBA2658 - описание и поиск аналогов

 

VBA2658. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBA2658

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 334 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0612 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBA2658

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA2658 даташит

 ..1. Size:1224K  cn vbsemi
vba2658.pdfpdf_icon

VBA2658

VBA2658 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0480 RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0612 ID (A) per leg -8 S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D G D 4 5 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted

 9.1. Size:684K  cn vbsemi
vba2625.pdfpdf_icon

VBA2658

VBA2625 www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.0195 at VGS = - 10 V - 10 APPLICATIONS - 60 76 nC 0.0250 at VGS = - 4.5 V - 9 Load Switch S SO-8 SD 1 8 G SD 2 7 SD 3 6 GD 4 5 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, un

Другие MOSFET... CS7N70A4R-G , VBA3638 , CS10N80AND , CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G , IRF830 , CS12N60FA9R , VBA2333 , CS12N65A8R , CS5N65FA9R , CS12N65FA9R , CS12N70A8H , CS13N50A8D , VBA2311 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.