CS15N50FA9R - описание и поиск аналогов

 

CS15N50FA9R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS15N50FA9R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CS15N50FA9R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS15N50FA9R даташит

 ..1. Size:231K  wuxi china
cs15n50fa9r.pdfpdf_icon

CS15N50FA9R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS15N50F A9R General Description VDSS 500 V CS15N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 15 A PD(TC=25 ) 70 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 0.3 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 6.1. Size:231K  crhj
cs15n50f a9r.pdfpdf_icon

CS15N50FA9R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS15N50F A9R General Description VDSS 500 V CS15N50F A9R, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, ID 15 A PD(TC=25 ) 70 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 0.3 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 6.2. Size:403K  convert
cs15n50f cs15n50p.pdfpdf_icon

CS15N50FA9R

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS15N50F,CS15N50P 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS15N50F TO-220F CS15N50F CS

 7.1. Size:229K  crhj
cs15n50 a8r.pdfpdf_icon

CS15N50FA9R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS15N50 A8R General Description VDSS 500 V CS15N50 A8R, the silicon N-channel Enhanced ID 15 A PD(TC=25 ) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.3 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

Другие MOSFET... VBA2311 , CS13N50A8R , CS13N50FA9D , CS5N60FA9HD , CS13N50FA9R , CS5N60A8H , VBA2216 , CS15N50A8R , IRF3205 , VBA1328 , CS16N60FA9H , VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H , CS55N06A4 , VB2355 .

History: FTP03N06NA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.