Справочник MOSFET. CS16N60FA9H

 

CS16N60FA9H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS16N60FA9H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CS16N60FA9H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS16N60FA9H Datasheet (PDF)

 6.1. Size:306K  crhj
 cs16n60f a9h.pdf pdf_icon

CS16N60FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS16N60F A9H VDSS 600 V General Description ID 16 A CS16N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25) 70 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.41 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 6.2. Size:776K  convert
 cs16n60f cs16n60p.pdf pdf_icon

CS16N60FA9H

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS16N60F,CS16N60P600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS16N60F TO-220F CS16N60FCS

 7.1. Size:426K  crhj
 cs16n60 a8h.pdf pdf_icon

CS16N60FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS16N60 A8H VDSS 600 V General Description ID 16 A CS16N60 A8, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.41 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.2. Size:426K  wuxi china
 cs16n60a8h.pdf pdf_icon

CS16N60FA9H

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS16N60 A8H VDSS 600 V General Description ID 16 A CS16N60 A8, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.41 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS13N50FA9D , CS5N60FA9HD , CS13N50FA9R , CS5N60A8H , VBA2216 , CS15N50A8R , CS15N50FA9R , VBA1328 , IRF840 , VBA1104N , VBA1158N , VBA1101M , CS5N60A4H , CS55N06A4 , VB2355 , VB264K , VB1695 .

 

 
Back to Top

 


 
.