Справочник MOSFET. VBA1104N

 

VBA1104N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA1104N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA1104N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  cn vbsemi
vba1104n.pdfpdf_icon

VBA1104N

VBA1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses100 23 nC0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO

 8.1. Size:879K  cn vbsemi
vba1101m.pdfpdf_icon

VBA1104N

VBA1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () 100 % UIS TestedID (A)d Qg (Typ.)0.124 at VGS = 10 V 4.2100 4.6 nC0.128 at VGS = 4.5 V APPLICATIONS3.9 High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TVSO-8 DS D1 8S D2 7 DS 3 6 GG D4 5 Top ViewSN-Ch

 8.2. Size:803K  cn vbsemi
vba1101n.pdfpdf_icon

VBA1104N

VBA1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0090 at VGS = 10 V 16 Material categorization:100 0.0105 at VGS = 7.5 V 15.2 27.9 nCAPPLICATIONS0.0120 at VGS = 6.0 V 14 DC/DC Primary Side Switch Telecom/ServerD Motor D

 9.1. Size:128K  onsemi
nsvba114ydxv6t1g.pdfpdf_icon

VBA1104N

MUN5114DW1,NSBA114YDXV6,NSBA114YDP6Dual PNP Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 47 kWPIN CONNECTIONSPNP Transistors with Monolithic BiasResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singleR1 R2device and its external resistor bias network. The Bias ResistorTransistor (BRT) contains a single transistor wit

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.