CS4N80FA9HD - описание и поиск аналогов

 

CS4N80FA9HD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS4N80FA9HD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CS4N80FA9HD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS4N80FA9HD даташит

 ..1. Size:380K  wuxi china
 cs4n80fa9hd.pdf pdf_icon

CS4N80FA9HD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4N80F A9HD General Description VDSS 800 V CS4N80F A9HD, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:1321K  jilin sino
 jcs4n80ch jcs4n80fh.pdf pdf_icon

CS4N80FA9HD

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 A VDSS 800 V Rdson-max 2.5 @Vgs=10V Qg-typ 14nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supply Electronic ballasts LED LED power supply

 7.2. Size:3308K  jilin sino
 jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80b jcs4n80s.pdf pdf_icon

CS4N80FA9HD

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10V Qg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

 7.3. Size:1170K  jilin sino
 jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80b.pdf pdf_icon

CS4N80FA9HD

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10V Qg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI2318CDS-T1-GE3 , SI2318DS-T1-GE3 , SI2319CDS-T1-GE3 , SI2319DS-T1-GE3 , SI2323CDS-T1-GE3 , SI2323DDS-T1-GE3 , SI2323DS-T1 , SI2338DS-T1-GE3 , IRFB4115 , VB2290 , CS4N80A4HD-G , VB8338 , CS4N80A3HD-G , CS4N70FA9R , VBA1615 , VBA1630 , CS24N40FA9H .

History: CM12N60AF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.