Справочник MOSFET. CS4N70FA9R

 

CS4N70FA9R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS4N70FA9R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS4N70FA9R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  wuxi china
cs4n70fa9r.pdfpdf_icon

CS4N70FA9R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4N70F A9R General Description VDSS 700 V CS4N70F A9R, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.55 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 5.1. Size:930K  wuxi china
cs4n70fa9d.pdfpdf_icon

CS4N70FA9R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4N70F A9D General Description VDSS 700 V CS4N70F A9D, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:2205K  jilin sino
jcs4n70v jcs4n70r jcs4n70mf jcs4n70s jcs4n70b jcs4n70c jcs4n70f.pdfpdf_icon

CS4N70FA9R

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 700 V Rdson-max 2.8 @Vgs=10V Qg-typ 16nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS T0-251N-S2 FEA

 7.2. Size:2742K  jilin sino
jcs4n70v jcs4n70r jcs4n70mf jcs4n70c jcs4n70f jcs4n70b jcs4n70s.pdfpdf_icon

CS4N70FA9R

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A 700 V VDSS Rdson-max 2.8 Vgs=10V 16nC Qg-Typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NCE30P40K | DMT6009LCT | LSG65R380HT | APT6035BVFRG | MTP2603Q6 | HA210N06 | EFC6602R

 

 
Back to Top

 


 
.