Справочник MOSFET. VBA1630

 

VBA1630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA1630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA1630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA1630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  cn vbsemi
 vba1630.pdf pdf_icon

VBA1630

VBA1630www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = 10 V 7.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.030 at VGS = 4.5 V 6.5Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CCFL I

 9.1. Size:424K  cn vbsemi
 vba1615.pdf pdf_icon

VBA1630

VBA1615www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 12.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11.6Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CC

Другие MOSFET... SI2338DS-T1-GE3 , CS4N80FA9HD , VB2290 , CS4N80A4HD-G , VB8338 , CS4N80A3HD-G , CS4N70FA9R , VBA1615 , K3569 , CS24N40FA9H , CS24N50ANHD , CS25N06B3 , CS25N06B4 , CS25N06B8 , CS4N65FA9HD , CS4N65A3HD1-G , SI2369DS-T1 .

History: SD5000N | TMPF9N60 | EMB12P03G | KCY3303S | IRLML2502PBF-1 | WVM4N50 | TMU2N40

 

 
Back to Top

 


 
.