VBA1630 - описание и поиск аналогов

 

VBA1630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBA1630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBA1630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA1630 даташит

 ..1. Size:418K  cn vbsemi
 vba1630.pdf pdf_icon

VBA1630

VBA1630 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.025 at VGS = 10 V 7.6 60 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous 0.030 at VGS = 4.5 V 6.5 Rectifier Operation 100 % Rg and UIS Tested APPLICATIONS D CCFL I

 9.1. Size:424K  cn vbsemi
 vba1615.pdf pdf_icon

VBA1630

VBA1615 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12.6 60 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11.6 Rectifier Operation 100 % Rg and UIS Tested APPLICATIONS D CC

Другие MOSFET... SI2338DS-T1-GE3 , CS4N80FA9HD , VB2290 , CS4N80A4HD-G , VB8338 , CS4N80A3HD-G , CS4N70FA9R , VBA1615 , IRF9540 , CS24N40FA9H , CS24N50ANHD , CS25N06B3 , CS25N06B4 , CS25N06B8 , CS4N65FA9HD , CS4N65A3HD1-G , SI2369DS-T1 .

History: 2SK3723 | SI7129DN | IRLR7811WCPBF | AO3451 | AP4501AGM-HF | CS24N50ANHD | AO3495

 

 

 

 

↑ Back to Top
.