Справочник MOSFET. CS4N65FA9HD

 

CS4N65FA9HD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS4N65FA9HD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CS4N65FA9HD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS4N65FA9HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  wuxi china
cs4n65fa9hd.pdfpdf_icon

CS4N65FA9HD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS4N65F A9HD General Description VDSS 650 V CS4N65F A9HD, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 7.1. Size:831K  jilin sino
jcs4n65vb jcs4n65rb jcs4n65cb jcs4n65fb.pdfpdf_icon

CS4N65FA9HD

N RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 7.2. Size:1447K  jilin sino
jcs4n65f jcs4n65v jcs4n65r jcs4n65b jcs4n65m jcs4n65mf.pdfpdf_icon

CS4N65FA9HD

R JCS4N65E JCS4N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_max 2.5 Vgs=10V Qg-typ 11.9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low gate

 7.3. Size:779K  jilin sino
jcs4n65f-c-r-v.pdfpdf_icon

CS4N65FA9HD

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65C \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS RdsonVgs=10V 2.5 9nC Qg APPLICATIONS (u High frequency switching

Другие MOSFET... CS4N70FA9R , VBA1615 , VBA1630 , CS24N40FA9H , CS24N50ANHD , CS25N06B3 , CS25N06B4 , CS25N06B8 , IRF4905 , CS4N65A3HD1-G , SI2369DS-T1 , SI2399CDS-T1 , CS460FA9H , SI3407DV-T1 , SI3456DDV-T1 , SI3460DV-T1 , SI3477DV-T1-GE3 .

 

 
Back to Top

 


 
.