SI3456DDV-T1 - описание и поиск аналогов

 

SI3456DDV-T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3456DDV-T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для SI3456DDV-T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3456DDV-T1 даташит

 ..1. Size:862K  cn vbsemi
si3456ddv-t1.pdfpdf_icon

SI3456DDV-T1

SI3456DDV-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance 30 4.2 nC 0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TSOP-6 APPLICATIONS DC

 5.1. Size:193K  vishay
si3456ddv.pdfpdf_icon

SI3456DDV-T1

New Product Si3456DDV Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 10 V 6.3 TrenchFET Power MOSFET 30 2.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.050 at VGS = 4.5 V 5.7 APPLICATIONS Load Switch HDD DC/DC Conve

 6.1. Size:191K  vishay
si3456dd.pdfpdf_icon

SI3456DDV-T1

New Product Si3456DDV Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 10 V 6.3 TrenchFET Power MOSFET 30 2.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.050 at VGS = 4.5 V 5.7 APPLICATIONS Load Switch HDD DC/DC Conve

 7.1. Size:65K  vishay
si3456dv.pdfpdf_icon

SI3456DDV-T1

Si3456DV Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D 100% Rg Tested 0.045 @ VGS = 10 V 5.1 30 30 0.065 @ VGS = 4.5 V 4.3 (1, 2, 5, 6) D TSOP-6 Top View 1 6 3 mm 5 2 (3) G 3 4 2.85 mm (4) S Ordering Information Si3456DV-T1 N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWIS

Другие MOSFET... CS25N06B4 , CS25N06B8 , CS4N65FA9HD , CS4N65A3HD1-G , SI2369DS-T1 , SI2399CDS-T1 , CS460FA9H , SI3407DV-T1 , SPP20N60C3 , SI3460DV-T1 , SI3477DV-T1-GE3 , SI3585DV-T1 , CS2N70A3R1-G , SDM9433 , SDM9435A , SDM9926 , CS2N80A3HY .

History: NTMD3P03R2G | SM7340EHKP | ELM32430LA | SM4804DSK | IRFH3205 | 2SK3496-01MR | JCS4N60CB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.