Справочник MOSFET. SDM9926

 

SDM9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDM9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SDM9926

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDM9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  cn vbsemi
 sdm9926.pdf pdf_icon

SDM9926

SDM9926www.VBsemi.twDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET200.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8 D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D2

Другие MOSFET... SI3407DV-T1 , SI3456DDV-T1 , SI3460DV-T1 , SI3477DV-T1-GE3 , SI3585DV-T1 , CS2N70A3R1-G , SDM9433 , SDM9435A , IRF530 , CS2N80A3HY , NP32N055I , CS45N06A4 , SUD25N06-45L , CS3410B4 , CS3410BR , RSS065N06 , RSS090P03 .

History: AMA410N | IRF832FI | FTD02N70 | SFB347N100C2 | WMO11N80M3 | IPSA70R360P7S | KP821A

 

 
Back to Top

 


 
.