CS3N40A23 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS3N40A23  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS3N40A23

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3N40A23 даташит

 7.1. Size:189K  wuxi china
 cs3n40a3h.pdf pdf_icon

CS3N40A23

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N40 A3H General Description VDSS 400 V CS3N40 A3H, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.1. Size:189K  crhj
 cs3n40 a3h.pdf pdf_icon

CS3N40A23

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N40 A3H General Description VDSS 400 V CS3N40 A3H, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.2. Size:195K  crhj
 cs3n40 a4h.pdf pdf_icon

CS3N40A23

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N40 A4H General Description VDSS 400 V CS3N40 A4H, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.3. Size:175K  crhj
 cs3n40 a23.pdf pdf_icon

CS3N40A23

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N40 A23 General Description VDSS 400 V CS3N40 A23, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS2N80A3HY, NP32N055I, CS45N06A4, SUD25N06-45L, CS3410B4, CS3410BR, RSS065N06, RSS090P03, STP80NF70, CS3N40A3H, CS3N40A4H, CS3N50B3, ISL9N306AS3S, CS3N50B4, VB2703K, VB3222, VB4290