NDF02N60ZG - описание и поиск аналогов

 

NDF02N60ZG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDF02N60ZG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для NDF02N60ZG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDF02N60ZG даташит

 ..1. Size:786K  cn vbsemi
 ndf02n60zg.pdf pdf_icon

NDF02N60ZG

NDF02N60ZG www.VBsemi.tw Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 5 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 11 Ruggedness Qgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 5.2 Compliant to RoHS

 5.1. Size:143K  onsemi
 ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf pdf_icon

NDF02N60ZG

NDF02N60Z, NDP02N60Z, NDD02N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 W Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected Gate VDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A 100% Avalanche Tested 600 V 4.8 W These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant N-Channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) D (2

Другие MOSFET... RTR025N05T , RYU002N05T306 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 , NTD24N06LT4G , NTD25P03LG , NDS9945-NL , NCE6602 , 8N60 , CS3R50A4 , NTR4503NT1G , CS40N20A8 , CS40N20ANH , CS40N20FA9E , CS40N20FA9H , CS2N65FA9 , CS4N60A3R .

History: NDP06N60Z | STD17NF03LT4 | SM1A42CSK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.