Справочник MOSFET. NDF02N60ZG

 

NDF02N60ZG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDF02N60ZG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для NDF02N60ZG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDF02N60ZG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:786K  cn vbsemi
 ndf02n60zg.pdf pdf_icon

NDF02N60ZG

NDF02N60ZGwww.VBsemi.twPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 5RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 11RuggednessQgs (nC) 2.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 5.2 Compliant to RoHS

 5.1. Size:143K  onsemi
 ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf pdf_icon

NDF02N60ZG

NDF02N60Z, NDP02N60Z,NDD02N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 4.8 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected GateVDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A 100% Avalanche Tested600 V4.8 W These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantN-ChannelABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)D (2

Другие MOSFET... RTR025N05T , RYU002N05T306 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 , NTD24N06LT4G , NTD25P03LG , NDS9945-NL , NCE6602 , K2611 , CS3R50A4 , NTR4503NT1G , CS40N20A8 , CS40N20ANH , CS40N20FA9E , CS40N20FA9H , CS2N65FA9 , CS4N60A3R .

History: TMU6N70 | SIRA12BDP | SK2306 | HRU120N10K

 

 
Back to Top

 


 
.