VB1240
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VB1240
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 5
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 12
nC
trⓘ -
Время нарастания: 17
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0318
Ohm
Тип корпуса:
SOT23
Аналог (замена) для VB1240
VB1240
Datasheet (PDF)
..1. Size:600K cn vbsemi
vb1240.pdf VB1240www.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.0318 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.0356 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0414 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/D
0.1. Size:1430K cn vbsemi
vb1240x.pdf VB1240Xwww.VBsemi.comN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition= 4.5V 8 TrenchFET Gen III Power MOSFETat V0.014 GS 209nC 100 % Rg Tested0.018 7at V = 2.5V GS 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD(SOT-23)G 1G3 D
0.2. Size:711K cn vbsemi
vb1240b.pdf VB1240Bwww.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) 20 TrenchFET power MOSFETRDS(on) max. () at VGS = 4.5V 0.020 Low on-resistanceRDS(on) max. () at VGS = 2.5V 0.025 100 % Rg testedQg typ. (nC 4.0 Material categorization:ID (A) a, e 7for definitions of compliance please seeConfiguration SingleDSOT-23(3)G 1G
9.1. Size:165K onsemi
nsvb124xpdxv6t1g.pdf NSBC114EPDXV6T1G,NSVBC114EPDXV6T1G SeriesDual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Biashttp://onsemi.comResistor NetworkThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areSOT-
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.