CS5N20FA9 - описание и поиск аналогов

 

CS5N20FA9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS5N20FA9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CS5N20FA9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS5N20FA9 даташит

 7.1. Size:612K  crhj
 cs5n20f a9.pdf pdf_icon

CS5N20FA9

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20F A9 General Description VDSS 200 V CS5N20F A9, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25 ) 20 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 8.1. Size:624K  crhj
 cs5n20 a3.pdf pdf_icon

CS5N20FA9

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20 A3 General Description VDSS 200 V CS5N20 A3, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25 ) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 8.2. Size:615K  crhj
 cs5n20 a4.pdf pdf_icon

CS5N20FA9

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20 A4 General Description VDSS 200 V CS5N20 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25 ) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 8.3. Size:739K  wuxi china
 cs5n20a4.pdf pdf_icon

CS5N20FA9

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20 A4 General Description VDSS 200 V CS5N20 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25 ) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS50N20ANH , CS540A3 , CS540A4 , IRLTS2242TR , CS540AR , VB1240 , CS5N20A3 , CS5N20A4 , IRFB4227 , NCE4688 , NCE3400A , NCE3404 , NCE40P05Y , CS16N65FA9H , SI9424DY-T1-E3 , SI9430DY-T1 , SI9433DY .

History: SMK0870F | AGM405F | 2SK1228 | NTD5865NL-1G | P120NF10 | FCP099N65S3 | 2SK3705

 

 

 

 

↑ Back to Top
.