CS5N20FA9 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

CS5N20FA9 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: CS5N20FA9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CS5N20FA9

CS5N20FA9 Datasheet (PDF)

7.1. Size:612K crhj
cs5n20f a9.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20F A9 General Description VDSS 200 V CS5N20F A9, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25) 20 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

8.1. Size:624K crhj
cs5n20 a3.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20 A3 General Description VDSS 200 V CS5N20 A3, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

8.2. Size:615K crhj
cs5n20 a4.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS5N20 A4 General Description VDSS 200 V CS5N20 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 4.8 A PD (TC=25) 40 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

8.3. Size:739K wuxi china
cs5n20a4.pdf