Справочник MOSFET. RRQ030P03TR

 

RRQ030P03TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RRQ030P03TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для RRQ030P03TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRQ030P03TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  cn vbsemi
 rrq030p03tr.pdf pdf_icon

RRQ030P03TR

RRQ030P03TRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP

 5.1. Size:216K  rohm
 rrq030p03.pdf pdf_icon

RRQ030P03TR

4V Drive Pch MOSFET RRQ030P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.90.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 0~0.12) High Power Package. (1) (2) (3)1pin mark3) High speed switching. 0.160.4Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : UA Applications Equivalent circuit Switching (6) (5)

Другие MOSFET... SI9433DY , SI9435BDY-T1-E3 , SI9435DY-T1 , CS60N04C4 , NDT452AP-NL , CS16N06AE-G , CS12N06AE-G , RQK0301FG , IRF1010E , RRR040P03TL , RFD16N05LSM9A , CS6N60A3D , CS6N60A3HDY , SI2306DS-T1 , SI2308DS-T1-GE3 , CS6N60A4H , NTMS4177PR .

History: NCE1570 | AMA430N

 

 
Back to Top

 


 
.