RRQ030P03TR - описание и поиск аналогов

 

RRQ030P03TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RRQ030P03TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для RRQ030P03TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRQ030P03TR даташит

 ..1. Size:834K  cn vbsemi
 rrq030p03tr.pdf pdf_icon

RRQ030P03TR

RRQ030P03TR www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET - 30 5.1 nC 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top V iew 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm P

 5.1. Size:216K  rohm
 rrq030p03.pdf pdf_icon

RRQ030P03TR

4V Drive Pch MOSFET RRQ030P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 0 0.1 2) High Power Package. (1) (2) (3) 1pin mark 3) High speed switching. 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Abbreviated symbol UA Applications Equivalent circuit Switching (6) (5)

Другие MOSFET... SI9433DY , SI9435BDY-T1-E3 , SI9435DY-T1 , CS60N04C4 , NDT452AP-NL , CS16N06AE-G , CS12N06AE-G , RQK0301FG , IRF9540N , RRR040P03TL , RFD16N05LSM9A , CS6N60A3D , CS6N60A3HDY , SI2306DS-T1 , SI2308DS-T1-GE3 , CS6N60A4H , NTMS4177PR .

History: KX12N65F | STD4LN80K5 | 2SK443 | STD4N90K5 | NDT06N03 | STD1NK80Z | 2SK774

 

 

 

 

↑ Back to Top
.