NCE0108AS - описание и поиск аналогов

 

NCE0108AS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE0108AS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0401 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для NCE0108AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0108AS даташит

 ..1. Size:433K  ncepower
nce0108as.pdfpdf_icon

NCE0108AS

Pb Free Product NCE0108AS http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0108AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =8A Schematic diagram RDS(ON)

 ..2. Size:318K  cn vbsemi
nce0108as.pdfpdf_icon

NCE0108AS

NCE0108AS www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses 100 23 nC 0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D APPLICATIONS S

 8.1. Size:621K  ncepower
nce0102e.pdfpdf_icon

NCE0108AS

NCE0102E http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0102E uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 100V,I = 2A DS D R

 8.2. Size:287K  ncepower
nce0102m.pdfpdf_icon

NCE0108AS

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0102M NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE0102M uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... CS730FA9H , CS730FA9RD , CS740A0H , CS120N08A8 , SSC8033GS6 , SSC8035GS6 , CS7N60A3R , CS7N60A4R , P60NF06 , NTF5P03T3G , NTGS3443T1G , NTGS4111PT , CS7N60FA9R , SSM3K335 , CS7N65A3R , SQ2348ES-T1 , CS7N65A4R .

History: IRFR120TR | AGM405F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.