NTGS4111PT - аналоги и даташиты транзистора

 

NTGS4111PT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTGS4111PT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для NTGS4111PT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTGS4111PT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  cn vbsemi
 ntgs4111pt.pdf pdf_icon

NTGS4111PT

NTGS4111PTwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-

 0.1. Size:134K  onsemi
 ntgs4111pt1.pdf pdf_icon

NTGS4111PT

NTGS4111PPower MOSFET-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on)http://onsemi.com Low Profile Package Suitable for Portable Applications Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Improved Efficiency for Battery Applications38 mW @ -10 V Pb-Free Package is Available-30 V -4.7 A

 5.1. Size:203K  onsemi
 ntgs4111p nvgs4111p.pdf pdf_icon

NTGS4111PT

NTGS4111P, NVGS4111PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-30 V, -4.7 AFeatureshttp://onsemi.com Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on) Low Profile Package Suitable for Portable ApplicationsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board Space38 mW @ -10 V Improved Efficiency for Battery Applications-30 V -4.7 A68 mW @ -4.5 V

 5.2. Size:138K  onsemi
 ntgs4111p.pdf pdf_icon

NTGS4111PT

NTGS4111PPower MOSFET-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Leading -30 V Trench Process for Low RDS(on)http://onsemi.com Low Profile Package Suitable for Portable Applications Surface Mount TSOP-6 Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Improved Efficiency for Battery Applications38 mW @ -10 V Pb-Free Package is Available-30 V -4.7 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS120N08A8 , SSC8033GS6 , SSC8035GS6 , CS7N60A3R , CS7N60A4R , NCE0108AS , NTF5P03T3G , NTGS3443T1G , IRF730 , CS7N60FA9R , SSM3K335 , CS7N65A3R , SQ2348ES-T1 , CS7N65A4R , STD2NB60T4 , CS7N65FA9R , SI4848DY-T1 .

History: SWMI4N65D | SPC16N65G | FDM60R65AN4G | TPC8012-H | LN2302BLT1G | SM4831NAK

 

 
Back to Top

 


 
.