CS7N65A3R - описание и поиск аналогов

 

CS7N65A3R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS7N65A3R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CS7N65A3R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS7N65A3R даташит

 ..1. Size:279K  wuxi china
cs7n65a3r.pdfpdf_icon

CS7N65A3R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65 A3R General Description VDSS 650 V CS7N65 A3R, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 6.1. Size:644K  wuxi china
cs7n65a3tdy.pdfpdf_icon

CS7N65A3R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65 A3TDY General Description VDSS 650 V CS7N65 A3TDY, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 95 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 7.1. Size:759K  wuxi china
cs7n65a4tdy.pdfpdf_icon

CS7N65A3R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65 A4TDY General Description VDSS 650 V CS7N65 A4TDY, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 95 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

 7.2. Size:760K  wuxi china
cs7n65a0d.pdfpdf_icon

CS7N65A3R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS7N65 A0D General Description VDSS 650 V CS7N65 A0D, the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.98 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

Другие MOSFET... CS7N60A3R , CS7N60A4R , NCE0108AS , NTF5P03T3G , NTGS3443T1G , NTGS4111PT , CS7N60FA9R , SSM3K335 , 7N60 , SQ2348ES-T1 , CS7N65A4R , STD2NB60T4 , CS7N65FA9R , SI4848DY-T1 , SI4848DY-T1-E3 , SI4850DY-T1 , CS7N80FA9 .

History: STD8N60DM2 | 2SK4081 | SM1A42CSK | FX6KMJ-2 | WMM05N70MM | STD17NF03LT4 | UTM6016G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.