UTM6016G - описание и поиск аналогов

 

UTM6016G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTM6016G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для UTM6016G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTM6016G даташит

 ..1. Size:858K  cn vbsemi
 utm6016g.pdf pdf_icon

UTM6016G

UTM6016G www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12.6 60 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11.6 Rectifier Operation 100 % Rg and UIS Tested APPLICATIONS D CC

 0.1. Size:261K  utc
 utm6016l-ta3-t utm6016g-ta3-t utm6016l-tn3-r utm6016g-tn3-r utm6016g-s08-r utm6016g-k08-5060-r.pdf pdf_icon

UTM6016G

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM6016 Power MOSFET 8.0A, 60V N-CHANNEL FAST SWITCHING MOSFET 1 1 TO-220 DESCRIPTION TO-252 The UTC UTM6016 is an N-Channel MOSFET, it uses UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The UTC UTM6016 is suitable for application in networking 1 DC-DC power s

Другие MOSFET... VB1330 , CS8N80FA9H , CS8N90A8 , CS8N90FA9 , VB162K , CS90N03B3 , UT9435G , UTM4052L , 2N7000 , CSZ44V-1 , AO4600 , AO4604 , AO4609 , AO4614A , AO4624 , SI4558DY , SI5504DC .

History: 2N7002ZDWG-AL6-R | 2SK3857MFV | STQ2HNK60Z-AP | SVS5N70F | PFB2N60 | IRFP151FI | STF13N60DM2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.