Справочник MOSFET. UTM6016G

 

UTM6016G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTM6016G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для UTM6016G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTM6016G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  cn vbsemi
 utm6016g.pdf pdf_icon

UTM6016G

UTM6016Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 12.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11.6Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CC

 0.1. Size:261K  utc
 utm6016l-ta3-t utm6016g-ta3-t utm6016l-tn3-r utm6016g-tn3-r utm6016g-s08-r utm6016g-k08-5060-r.pdf pdf_icon

UTM6016G

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM6016 Power MOSFET 8.0A, 60V N-CHANNEL FAST SWITCHING MOSFET 11TO-220 DESCRIPTION TO-252The UTC UTM6016 is an N-Channel MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The UTC UTM6016 is suitable for application in networking 1DC-DC power s

Другие MOSFET... VB1330 , CS8N80FA9H , CS8N90A8 , CS8N90FA9 , VB162K , CS90N03B3 , UT9435G , UTM4052L , IRF9540 , CSZ44V-1 , AO4600 , AO4604 , AO4609 , AO4614A , AO4624 , SI4558DY , SI5504DC .

History: SI4947DY | ISCNH346F | WMM12N80M3

 

 
Back to Top

 


 
.