AO4624 - описание и поиск аналогов

 

AO4624. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4624

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9(6) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.035) Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для AO4624

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4624 даташит

 ..1. Size:2869K  kexin
ao4624.pdfpdf_icon

AO4624

SMD Type MOSFET Complementary Trench MOSFET AO4624 (KO4624) SOP-8 Unit mm Features N-Channel VDS (V) = 30V ID = 6.9 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 28m (VGS = 10V) RDS(ON) 42m (VGS = 4.5V) 1 S2 5 D1 6 D1 P-Channel 2 G2 7 D2 3 S1 VDS (V) = -30V 8 D2 4 G1 ID = -6 A (VGS = -4.5V) RDS(ON) 35m (VGS = -10V) RDS(ON) 58m (VGS = -4.5V)

 9.1. Size:849K  aosemi
ao4629.pdfpdf_icon

AO4624

AO4629 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary AO4629 uses advanced trench technology to provide N-Channel P-Channel excellent RDS(ON) and low gate charge. This VDS= 30V -30V complementary N and P channel MOSFET configuration is ID= 6A (VGS=10V) -5.5A (VGS=-10V) ideal for low Input Voltage inverter applications. RDS(ON) RDS(ON)

 9.2. Size:251K  aosemi
ao4622.pdfpdf_icon

AO4624

AO4622 20V Dual P + N-Channel MOSFET General Description Product Summary N-Channel P-Channel The AO4622 uses advanced trench technology VDS (V) = 20V -20V MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate ID = 7.3A (VGS=4.5V) -5A (VGS=-4.5V) charge. The complementary MOSFETs may be used RDS(ON) RDS(ON) to form a level shifted high side switch, and for a

 9.3. Size:301K  aosemi
ao4620.pdfpdf_icon

AO4624

AO4620 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO4620 uses advanced trench technology n-channel p-channel MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate VDS (V) = 30V -30V charge. The complementary MOSFETs may be used ID = 7.2A (VGS=10V) -5.3A (VGS = -10V) in inverter and other applications. RDS(ON) RDS(ON)

Другие MOSFET... UT9435G , UTM4052L , UTM6016G , CSZ44V-1 , AO4600 , AO4604 , AO4609 , AO4614A , IRF9540 , SI4558DY , SI5504DC , SI5513CD , SIA517DJ , SI4953ADY , SI1903DL , SI4953DY , AO4824L .

History: IXFR32N50Q | AO4912

 

 

 

 

↑ Back to Top
.