Справочник MOSFET. IRF654A

 

IRF654A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF654A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IRF654A

 

 

IRF654A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:938K  samsung
 irf654a.pdf

IRF654A IRF654A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 21 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V Low RDS(ON) : 0.108 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value UnitsVD

 8.1. Size:867K  fairchild semi
 irf654b.pdf

IRF654A IRF654A

November 2001IRF654B/IRFS654B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 250V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 95 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 9.1. Size:898K  fairchild semi
 irf650b.pdf

IRF654A IRF654A

IRF650B / IRFS650B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 28A, 200V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 95 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 75 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switc

 9.2. Size:775K  samsung
 irf650a.pdf

IRF654A IRF654A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.085 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 28 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.071 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Val

 9.3. Size:2125K  cn vbsemi
 irf650ap.pdf

IRF654A IRF654A

IRF650APwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction TemperatureRoHS0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package200 950.070 at VGS = 6 V38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB IndustrialDGG D

Другие MOSFET... IRF642 , IRF643 , IRF644 , IRF644A , IRF644S , IRF645 , IRF646 , IRF650A , AO3401 , IRF710 , IRF710A , IRF710S , IRF711 , IRF712 , IRF713 , IRF720 , IRF7201 .

 

 
Back to Top