Справочник MOSFET. SI2303BDS

 

SI2303BDS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI2303BDS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SI2303BDS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2303BDS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  vishay
si2303bds.pdfpdf_icon

SI2303BDS

Si2303BDSVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)bPb-free0.200 at VGS = - 10 V Available- 1.64- 300.380 at VGS = - 4.5 V RoHS*- 1.0COMPLIANTTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2303BDS (L3)** Marking CodeOrdering Information: Si2303BDS-T1 Si2303BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-

 ..2. Size:1849K  kexin
si2303bds.pdfpdf_icon

SI2303BDS

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2303BDS (KI2303BDS) FeaturesSOT-23Unit: mm+0.1 VDS (V) =-30V2.9 -0.1+0.10.4 -0.1 RDS(ON) 200m (VGS =-10V)3 RDS(ON) 380m (VGS =-4.5V)1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1G 13 D1.GateS 22.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady

 0.1. Size:1898K  kexin
si2303bds-3.pdfpdf_icon

SI2303BDS

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2303BDS (KI2303BDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.1 Features0.4 -0.13 VDS (V) =-30V RDS(ON) 200m (VGS =-10V) RDS(ON) 380m (VGS =-4.5V)1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.1G 1 1.9-0.23 DS 21.Gate2.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec St

 8.1. Size:227K  vishay
si2303cds.pdfpdf_icon

SI2303BDS

Si2303CDSVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.190 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 30 2 nC 100 % Rg Tested0.330 at VGS = - 4.5 V - 2.1 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchTO-236(SOT-23)G 1 3 D

Другие MOSFET... KX9435 , KXF2955 , NDT12P20 , NDT40P04 , NTMS10P02R2 , NTR4101P , SI2301BDS , IXFP18N65X2 , IRF840 , SI2303DS , SI2305DS , SI2307BDS , SI2307DS , SI2315BDS , SI2319DS , SI2321DS , SI2323DS .

History: VBZM8N60 | SSF53A0E | SSP65R080SFD3

 

 
Back to Top

 


 
.