KI8810DS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI8810DS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 320 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOT23
KI8810DS Datasheet (PDF)
ki8810ds.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI8810DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = 20V ID = 6 A1 2 RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 30m (VGS = 2.5V) D ESD protectedG1. Gate2. Source3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R
ki8810dy.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETKI8810DYSOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 7 A1.50 0.15 RDS(ON) 20m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 50m (VGS = 1.8V) ESD Rating: 2KV HBMD1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D25Top ViewS2S1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin
ki8810t.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETKI8810T( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) = 20V ID = 7 A RDS(ON) 20m (VGS = 4.5V)2 31 RDS(ON) 30m (VGS = 2.5V)+0.020.15 -0.02+0.01-0.01 RDS(ON) 50m (VGS = 1.8V)+0.2-0.1 ESD Rating: 2KV HBMD1 D2S1 1 6 G1G1 G2 D1/D2 2 5 D1/D2S2 3 4 G2S2S1
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918