Справочник MOSFET. KI8810DS

 

KI8810DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI8810DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 320 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для KI8810DS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI8810DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1618K  kexin
ki8810ds.pdfpdf_icon

KI8810DS

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI8810DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = 20V ID = 6 A1 2 RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 30m (VGS = 2.5V) D ESD protectedG1. Gate2. Source3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R

 7.1. Size:1757K  kexin
ki8810dy.pdfpdf_icon

KI8810DS

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETKI8810DYSOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 7 A1.50 0.15 RDS(ON) 20m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 50m (VGS = 1.8V) ESD Rating: 2KV HBMD1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D25Top ViewS2S1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin

 8.1. Size:1645K  kexin
ki8810t.pdfpdf_icon

KI8810DS

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETKI8810T( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) = 20V ID = 7 A RDS(ON) 20m (VGS = 4.5V)2 31 RDS(ON) 30m (VGS = 2.5V)+0.020.15 -0.02+0.01-0.01 RDS(ON) 50m (VGS = 1.8V)+0.2-0.1 ESD Rating: 2KV HBMD1 D2S1 1 6 G1G1 G2 D1/D2 2 5 D1/D2S2 3 4 G2S2S1

Другие MOSFET... KI1N60DS , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , AO3401 , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 .

History: N0300P | NTD3055-094-1

 

 
Back to Top

 


 
.