KX6N70F - описание и поиск аналогов

 

KX6N70F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KX6N70F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для KX6N70F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX6N70F даташит

 ..1. Size:4290K  kexin
kx6n70f.pdfpdf_icon

KX6N70F

DIP Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET KX6N70F Unit mm TO-220F 0.20 0.20 0.20 2.54 Features 0.20 0.70 VDS (V) = 700V ID = 6.0A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) Low gate charge ( typical 16nC) 0.20 2.76 1.47max 0.20 0.50 0.20 0.80 2.54typ 2.54typ Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit

 8.1. Size:3152K  kexin
kx6n70.pdfpdf_icon

KX6N70F

DIP Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET KX6N70 TO-220 9.90 0.20 4.50 0.20 (8.70) +0.10 3.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 700V ID = 6.0A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) Low gate charge ( typical 16nC) D 1.27 0.10 1.52 0.10 2 1 3 0.80 0.10 +0.10 0.50 0.05 2.40 0.20 2.54TYP 2.54TYP [2.54 0.20] [2.54 0.20] G

Другие MOSFET... KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , IRF830 , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 .

History: SM4301PSU | AOB600A70FL | WMK10N80M3 | SM1F00NSF | 3N80L-TA3-T | SM1F14NSU | VS3622DP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.