KX6N70F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KX6N70F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO220F
KX6N70F Datasheet (PDF)
kx6n70f.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETKX6N70FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.54 Features0.200.70 VDS (V) = 700V ID = 6.0A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) Low gate charge ( typical 16nC)0.202.761.47max0.200.500.200.802.54typ2.54typ Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
kx6n70.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETKX6N70TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 700V ID = 6.0A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) Low gate charge ( typical 16nC)D1.27 0.10 1.52 0.1021 30.80 0.10 +0.100.50 0.05 2.40 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20] [2.54 0.20]G
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918