NDT2N60 - описание и поиск аналогов

 

NDT2N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDT2N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NDT2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT2N60 даташит

 ..1. Size:1627K  kexin
 ndt2n60.pdf pdf_icon

NDT2N60

 0.1. Size:1619K  kexin
 ndt2n60p.pdf pdf_icon

NDT2N60

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT2N60P Unit mm TO-251 6.50 0.15 2.30 0.10 5.30 0.10 0.58 (max) 0.43 (min) Features VDS (V) = 600V ID = 2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.5 (VGS = 10V) 1 2 3 Low Gate Charge 0.80 0.10 Low Reverse transfer capacitances 0.60 0.10 0.58 (max) 2.30(typ) 0.43 (min) 4.60 0.10 1.20 0.15 Absolute Maximum Ratin

Другие MOSFET... KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , IRF730 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 , NDT50N03 .

History: WSD30160DN56 | ME80N75FG | 80N08A | 2SK3455B | STD35NF3LLT4 | P2402CAG | 2SK846

 

 

 

 

↑ Back to Top
.