NDT6N70P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDT6N70P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 95 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO251
NDT6N70P Datasheet (PDF)
ndt6n70p.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT6N70PTO-251 Features VDS (V) = 700V ID = 4.8A (VGS = 10V)1 2 3 RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V) Low gate charge ( typical 16nC)D1 32GSUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 700V Gate-Source Voltage VGS 30 Tc=25 4.8 Continuou
ndt6n70.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT6N70TO-252Unit: mm+ 0.15 Features6.50- 0.15+0.12.30 -0.1+ 0.25.30- 0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 700V ID = 4.8A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V)D0.127 Low gate charge ( typical 16nC)+0.10.80 -0.1maxG + 0.11 Gate2.3 0.60- 0.1+ 0.154.60- 0.152 DrainS3 Source Absol
ndt6n60p.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT6N60PTO-251 Features VDS (V) = 600V1 2 3 ID = 6.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.5 (VGS = 10V) Fast switching capability Low reverse transfer Capacitance1 32DrainUnit: mmGateSource Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 600V Gate-Source Voltage V
ndt6n60.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT6N60 TO-252Unit: mm6.50+0.15-0.15+0.12.30 -0.15.30+0.2-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 600V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.7 (VGS = 10V) 0.1270.80+0.1 max-0.1 Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances1 Gate2.3 0.60+ 0.1- 0.12 Drain+0.154.60 -0.153 Source4 Drain
ndt6n65p.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT6N65PTO-251 Features VDS (V) = 650V1 2 3 ID = 4.8A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.8 (VGS = 10V)D Low gate charge ( typical 16nC)1 32GSUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 650V Gate-Source Voltage VGS 30 Tc=25 4.8 Continuou
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
