SI4490DY - описание и поиск аналогов

 

SI4490DY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI4490DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SI4490DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4490DY даташит

 ..1. Size:225K  vishay
si4490dy.pdfpdf_icon

SI4490DY

Si4490DY Vishay Siliconix N-Channel 200-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.080 at VGS = 10 V 4.0 TrenchFET Power MOSFETs 200 0.090 at VGS = 6.0 V 3.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 S D 1 8 S D G 2 7 S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information

 ..2. Size:1475K  kexin
si4490dy.pdfpdf_icon

SI4490DY

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET SI4490DY (KI4490DY) SOP-8 Features VDS (V) = 200V D ID = 4A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 80m (VGS = 10V) RDS(ON) 90m (VGS = 6V) G 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10S Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 200

 9.1. Size:225K  vishay
si4493dy.pdfpdf_icon

SI4490DY

Si4493DY Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.00775 at VGS = - 4.5 V - 14 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.01225 at VGS = - 2.5 V - 11 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S D

 9.2. Size:122K  vishay
si4497dy.pdfpdf_icon

SI4490DY

New Product Si4497DY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.0033 at VGS = - 10 V - 36 TrenchFET Power MOSFET - 30 90 nC 100 % Rg Tested 0.0046 at VGS = - 4.5 V - 29 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATI

Другие MOSFET... SI2318CDS , SI2318DS , SI2324DS , SI2328DS , SI2356DS , SI2366DS , SI2372DS , SI4056DY , IRF9540N , SI4634DY , SI7898DP , SI9410DY , SIR422DP , UTT6N10Z , APM2518NU , APM2558NU , SM1105NSV .

History: WMN15N65F2 | 2SK1444LS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.