Справочник MOSFET. IRF7233

 

IRF7233 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF7233

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 14 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.6 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 74 nC

Выходная емкость (Cd): 4530 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF7233

 

 

IRF7233 Datasheet (PDF)

1.1. irf7233pbf.pdf Size:161K _international_rectifier

IRF7233
IRF7233

PD - 95939 IRF7233PbF HEXFET® Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D RDS(on) = 0.020Ω Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

1.2. irf7233.pdf Size:92K _international_rectifier

IRF7233
IRF7233

PD- 91849D IRF7233 HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 Surface Mount S D Available in Tape & Reel 3 6 S D 4 5 G D RDS(on) = 0.020Ω Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit p

 4.1. irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf Size:476K _st

IRF7233
IRF7233



Другие MOSFET... IRF7207 , IRF720A , IRF720FI , IRF720S , IRF721 , IRF722 , IRF7220 , IRF723 , 2SK2837 , IRF730 , IRF730A , IRF730AL , IRF730AS , IRF730FI , IRF730S , IRF731 , IRF732 .

 

 
Back to Top