Справочник MOSFET. SM2202NSQE

 

SM2202NSQE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2202NSQE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2B-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2202NSQE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  sino
sm2202nsqe.pdfpdf_icon

SM2202NSQE

SM2202NSQEN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 30V/8.4A,DDRDS(ON) = 15.5m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 21m(max.) @ VGS =4.5V GSD Pin 1D Avalanche RatedTDFN2x2-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(1,2,5,6)DD DD(RoHS Compliant) 100% UIS TestedApplications(3)G Power Management in Notebook Computer,

 5.1. Size:187K  sino
sm2202nsqg.pdfpdf_icon

SM2202NSQE

SM2202NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 30V/8.4A,DDRDS(ON) = 15.5m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 21m(max.) @ VGS =4.5VGSD Pin 1D Avalanche RatedDFN2x2-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(1,2,5,6)DD DD(RoHS Compliant) 100% UIS TestedApplications(3)G Power Management in Notebook Computer,

 8.1. Size:1198K  huashuo
hsm2202.pdfpdf_icon

SM2202NSQE

HSM2202 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2202 is the high cell density trenched N-V 20 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 9.5 m DS(ON),TYPconverter applications. I 8 A DThe HSM2202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functi

 9.1. Size:179K  sino
sm2207psqg.pdfpdf_icon

SM2202NSQE

SM2207PSQGP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -12V/-8.7A,SDDDRDS(ON) = 22m(max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) = 30m(max.) @ VGS =-2.5VG SPin 1RDS(ON) = 38m(max.) @ VGS =-1.8VDDRDS(ON) = 57m(max.) @ VGS =-1.5VDFN2x2-6 Reliable and Rugged(1,2,5,6) Lead Free and Green Devices AvailableDD DD(RoHS Compliant)Applications(3)G

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STD100N3LF3 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | SIR492DP | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.