SM2202NSQG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM2202NSQG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2A-6

Аналог (замена) для SM2202NSQG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2202NSQG даташит

 ..1. Size:187K  sino
sm2202nsqg.pdfpdf_icon

SM2202NSQG

SM2202NSQG N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S D 30V/8.4A, D D RDS(ON) = 15.5m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS =4.5V G S D Pin 1 D Avalanche Rated DFN2x2-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (1,2,5,6) DD DD (RoHS Compliant) 100% UIS Tested Applications (3)G Power Management in Notebook Computer,

 5.1. Size:185K  sino
sm2202nsqe.pdfpdf_icon

SM2202NSQG

SM2202NSQE N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S D 30V/8.4A, D D RDS(ON) = 15.5m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS =4.5V G S D Pin 1 D Avalanche Rated TDFN2x2-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (1,2,5,6) DD DD (RoHS Compliant) 100% UIS Tested Applications (3)G Power Management in Notebook Computer,

 8.1. Size:1198K  huashuo
hsm2202.pdfpdf_icon

SM2202NSQG

HSM2202 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2202 is the high cell density trenched N- V 20 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 9.5 m DS(ON),TYP converter applications. I 8 A D The HSM2202 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functi

 9.1. Size:179K  sino
sm2207psqg.pdfpdf_icon

SM2202NSQG

SM2207PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -12V/-8.7A, S D D D RDS(ON) = 22m (max.) @ VGS =-4.5V RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS =-2.5V G S Pin 1 RDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-1.8V D D RDS(ON) = 57m (max.) @ VGS =-1.5V DFN2x2-6 Reliable and Rugged (1,2,5,6) Lead Free and Green Devices Available DD DD (RoHS Compliant) Applications (3)G

Другие IGBT... SM2006NSK, SM2014NSKP, SM2014NSU, SM2030NSU, SM2054NSD, SM2054NSV, SM2201NSQG, SM2202NSQE, RFP50N06, SM4831NAK, SM4832NSK, SM4834NSK, SM4836NSK, SM4838NSK, SM4839NSK, SM4842NSK, SM4843NSK