Справочник MOSFET. IRF7324D1

 

IRF7324D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF7324D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.7 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 5.2 nC

Выходная емкость (Cd): 610 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF7324D1

 

 

IRF7324D1 Datasheet (PDF)

1.1. irf7324d1pbf.pdf Size:134K _upd-mosfet

IRF7324D1
IRF7324D1

PD-95309A IRF7324D1PbF FETKYä MOSFET / Schottky Diode l Co-packaged HEXFET® Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -20V 2 7 l Ideal for Mobile Phone Applications A K l Generation V Technology 3 6 S D RDS(on) = 0.27Ω l SO-8 Footprint 4 5 G D l Lead-Free Schottky Vf = 0.39V Top View Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer

1.2. irf7324d1.pdf Size:210K _international_rectifier

IRF7324D1
IRF7324D1

PD- 91789 IRF7324D1 PRELIMINARY ? ? ? ? FETKY? MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET? Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -20V 2 7 Ideal for Mobile Phone Applications A K Generation V Technology 3 6 S D RDS(on) = 0.18? SO-8 Footprint 4 5 G D Schottky Vf = 0.39V Top View Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer t

 3.1. irf7324pbf-1.pdf Size:185K _upd-mosfet

IRF7324D1
IRF7324D1

IRF7324TRPbF-1 HEXFET® Power MOSFET VDS -20 V 1 8 RDS(on) max S1 D1 0.018 Ω 2 7 (@V = -4.5V) GS G1 D1 Qg (typical) 42 nC 3 6 S2 D2 ID 4 5 -9.0 A G2 D2 (@T = 25°C) A SO-8 Top View Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility ⇒ Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant, Halogen-Free En

3.2. irf7324.pdf Size:99K _international_rectifier

IRF7324D1
IRF7324D1

PD -93799A IRF7324 HEXFET Power MOSFET Trench Technology Ultra Low On-Resistance 1 8 S1 D1 VDSS = -20V Dual P-Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Low Profile (<1.1mm) 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 2.5V Rated G2 D2 RDS(on) = 0.018? Top View Description New trench HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely

Другие MOSFET... IRF730AL , IRF730AS , IRF730FI , IRF730S , IRF731 , IRF732 , IRF7321D2 , IRF7322D1 , 2N7000 , IRF733 , IRF734 , IRF7353D1 , IRF737LC , IRF740 , IRF7401 , IRF7403 , IRF7404 .

 

 
Back to Top