Справочник MOSFET. SM2306NSA

 

SM2306NSA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2306NSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SM2306NSA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2306NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  sino
sm2306nsa.pdfpdf_icon

SM2306NSA

SM2306NSA N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/4.7A,D RDS(ON)=40m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=60m (max.) @ VGS=4.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-3(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Powered Systems.S Load SwitchN-Chann

 8.1. Size:238K  taiwansemi
tsm2306cx.pdfpdf_icon

SM2306NSA

TSM2306 30V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Gate 2. Source 57 @ VGS =10V 3.5 3. Drain 30 94 @ VGS =4.5V 2.8 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Ordering Information Part No. Pa

 8.2. Size:947K  globaltech semi
gsm2306a.pdfpdf_icon

SM2306NSA

GSM2306A 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2306A, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=750m@VGS=1.8V Super high density cell design for These devices are particularl

 8.3. Size:948K  globaltech semi
gsm2306ae.pdfpdf_icon

SM2306NSA

GSM2306AE 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2306AE, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=750m@VGS=1.8V Super high density cell design for These devices are particula

Другие MOSFET... SM7511NSUB , SM7518NSU , SM7575NSF , SM7580NSF , SM2300NSA , SM2300NSAN , SM2302NSA , SM2304NSA , STP75NF75 , SM2308NSA , SM2310NSA , SM2312NSA , SM2314NSA , SM2316NSA , SM2318NSA , SM3024NSF , SM3024NSU .

History: SML10S75XX | KHB9D0N50F2 | APT1003RKFLLG | IXTP86N20T | WVM6N100 | IPD65R660CFD

 

 
Back to Top

 


 
.