SM3005NAF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM3005NAF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SM3005NAF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM3005NAF даташит

 ..1. Size:154K  sino
sm3005naf.pdfpdf_icon

SM3005NAF

SM3005NAF N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/110A, RDS(ON)= 3.9m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 5.2m (max.) @ VGS=4.5V S D 100% UIS + Rg Tested G Reliable and Rugged Top View of TO-220 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Secondary Rectifier For SMPS. S N-Channel MOSFET Ordering

 7.1. Size:240K  sino
sm3005nsf.pdfpdf_icon

SM3005NAF

SM3005NSF N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/100A, RDS(ON)= 4.5m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 7.1m (max.) @ VGS=4.5V S D Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available Top View of TO-220 (RoHS Compliant) D 100% UIS Tested Applications G Power Management in Secondary Rectifier For SMPS. UPS/Inverter Application. S Battery P

 9.1. Size:244K  siemens
bsm300gb120dlc.pdfpdf_icon

SM3005NAF

Technische Information / technical information IGBT-Module BSM300GB120DLC IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstro

 9.2. Size:137K  siemens
bsm300ga170dn2e3166.pdfpdf_icon

SM3005NAF

BSM300GA170DN2 E3166 IGBT Power Module Preliminary data Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area Package with insulated metal base plate RG on,min = 5.6 Ohm Type VCE IC Package Ordering Code BSM300GA170DN2 E3166 1700V 440A SINGLE SWITCH 1 C67070-A2710-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1700 V

Другие IGBT... SM4371NSKP, SM4372NAKP, SM4373NAKP, SM4373NSKP, SM4374NSKP, SM2F04NSU, SM2F05NSU, SM2F07NSU, BS170, SM3016NSU, SM3017NSU, SM3023NSU, SM3023NSV, SM3116NAU, SM3116NSUC, SM4375NSKP, SM4377NSKP