SM3117NSU - описание и поиск аналогов

 

SM3117NSU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM3117NSU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SM3117NSU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM3117NSU даташит

 ..1. Size:173K  sino
sm3117nsu.pdfpdf_icon

SM3117NSU

SM3117NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/50A, D RDS(ON)=7.2m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=9.8m (max.) @ VGS=4.5V G Provide Excellent Qgd x Rds-on 100% UIS + Rg Tested Top View of TO-252-2 Reliable and Rugged D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G Applications Power Management in Desktop Computer or S

 0.1. Size:155K  sino
sm3117nsuc.pdfpdf_icon

SM3117NSU

SM3117NSUC N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/50A, RDS(ON)=7.2m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=9.8m (max.) @ VGS=4.5V D G Provide Excellent Qgd x Rds-on Reliable and Rugged Top View of TO-251S Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) 100% UIS + Rg Tested G Applications Power Management in Desktop Computer or S

 9.1. Size:551K  sino
sm3119nau.pdfpdf_icon

SM3117NSU

SM3119NAU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Drain 4 30V/50A, RDS(ON)=10.5m (max.) @ VGS=10V 3 Source 2 RDS(ON)=14.5m (max.) @ VGS=4.5V 1 Gate Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Desktop Computer or DC

 9.2. Size:551K  sino
sm3116nau.pdfpdf_icon

SM3117NSU

SM3116NAU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/60A, D RDS(ON)=5.7m (Max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=9m (Max.) @ VGS=4.5V G Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. S N-Chann

Другие MOSFET... SM2A11NSF , SM2A12NSF , SM2A12NSKP , SM2A12NSU , SM2A16NSF , SM2A16NSFP , SM2A18NSV , SM2A27NSFP , IRF640 , SM3117NSUC , SM3119NAU , SM3120NCF , SM6029NSK , SM6032NSG , SM6033NAF , SM6033NSF , SM6033NSG .

History: 2SJ387L | 2SJ505L | TPM1013ER3 | STL7N60M2 | SI4435BDY | 2SK1203 | 2SK3572-Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.