Справочник MOSFET. SM3402NSQG

 

SM3402NSQG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM3402NSQG
   Маркировка: SM3402
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
   Время нарастания (tr): 11 ns
   Выходная емкость (Cd): 378 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3D-8

 Аналог (замена) для SM3402NSQG

 

 

SM3402NSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  sino
sm3402nsqg.pdf

SM3402NSQG SM3402NSQG

SM3402NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD 30V/50A,DRDS(ON) =4.6m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) =6.2m(max.) @ VGS =4.5VSGSS ESD ProtectedDFN3x3D-8_EP Avalanche Rated 100% UIS + Rg Tested(5,6,7,8)DDDD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)(4) GApplications Power Management in Noteb

 8.1. Size:453K  globaltech semi
gsm3402a.pdf

SM3402NSQG SM3402NSQG

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3402A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=82m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.0A,RDS(ON)=87m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/1.5A,RDS(ON)=110m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for

 8.2. Size:1144K  globaltech semi
gsm3402.pdf

SM3402NSQG SM3402NSQG

GSM3402 GSM3402 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3402, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/3.5A,RDS(ON)=80m@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/2.8A,RDS(ON)=100m@VGS=2.5V gate charge. These devices are particularly Super high density cell de

 8.3. Size:771K  cn sps
sm3402srl.pdf

SM3402NSQG SM3402NSQG

SM3402SRL30V /4A Single N Power MOSFET B N03B N 30V /4A Single N Power MOSFET 4N03BGeneral Description 30 VV DS30V /4A Single N Power MOSFET 45.5 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 71.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 4 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedSM340

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top