Справочник MOSFET. SM3424NHQA

 

SM3424NHQA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM3424NHQA
   Маркировка: SM3424N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3A-8

 Аналог (замена) для SM3424NHQA

 

 

SM3424NHQA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  sino
 sm3424nhqa.pdf

SM3424NHQA SM3424NHQA

SM3424NHQA N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/77A, DDD RDS(ON)= 3.4m (Max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 5.1m (Max.) @ VGS=4.5VGSSS Lower Qg and Qgd for high-speed switching Lower RDS(ON) to Minimize Conduction LossesDFN3.3x3.3A-8_EP ESD Protection(5,6,7,8) 100% UIS + Rg TestedDDDD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Av

 8.1. Size:203K  taiwansemi
 tsm3424cx6.pdf

SM3424NHQA SM3424NHQA

TSM3424 30V N-Channel MOSFET SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Drain 6. Drain 2. Drain 5, Drain VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 3. Gate 4. Source 30 @ VGS = 10V 6.7 30 42 @ VGS = 4.5V 5.7 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Orderin

 8.2. Size:772K  globaltech semi
 gsm3424a.pdf

SM3424NHQA SM3424NHQA

GSM3424A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3424A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=85m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.0A,RDS(ON)=95m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. 30V/1.5A,RDS(ON)=265m@VGS=4.5V Super high density cell design for extremely These devices are

 8.3. Size:883K  globaltech semi
 gsm3424.pdf

SM3424NHQA SM3424NHQA

GSM3424 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3424, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=85m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m@VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are pa

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 

Back to Top