SM3401NSQG - описание и поиск аналогов

 

SM3401NSQG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM3401NSQG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3B-8

Аналог (замена) для SM3401NSQG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM3401NSQG даташит

 ..1. Size:152K  sino
sm3401nsqg.pdfpdf_icon

SM3401NSQG

SM3401NSQG N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D D 30V/50A, D RDS(ON) =2.8m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) =3.6m (max.) @ VGS =4.5V G S S S 100% UIS + Rg Tested DFN3.3x3.3-8(Saw-EP) Avalanche Rated Reliable and Rugged (5,6,7,8) D D DD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications (4) G Power Management in Notebook Com

 8.1. Size:235K  taiwansemi
tsm3401cx.pdfpdf_icon

SM3401NSQG

TSM3401 30V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 60 @ VGS = 10V -3.0 3. Drain -30 90 @ VGS = 4.5V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Ordering Info

 8.2. Size:1426K  globaltech semi
gsm3401s.pdfpdf_icon

SM3401NSQG

GSM3401S GSM3401S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3401S, P-Channel enhancement mode -30V/-4.0A RDS(ON)=65m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.2A RDS(ON)=80m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.0A RDS(ON)=105m @VGS=-2.5V Super high density cell design for extremely These devi

 8.3. Size:612K  globaltech semi
gsm3401as.pdfpdf_icon

SM3401NSQG

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3401AS, P-Channel enhancement mode -30V/-2.4 RDS(ON)=70m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-1.8 RDS(ON)=80m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.2 RDS(ON)=105m @VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell de

Другие MOSFET... SM6027NSKP , SM6027NSU , SM6028NSFP , SM6028NSKP , SM3323NHQA , SM3323NHQG , SM3324NHQG , SM3326NHQA , IRFZ48N , SM4029NSK , SM4029NSKP , SM4029NSU , SM4031NHKP , SM4033NHU , SM3320NSQG , SM3322NHQA , SM6018NSKP .

History: 2SK2002-01M | 2N6796U | CM10N60AZ | 2N65G-TN3-R | FTP10N60C | AP4501GH-HF | MTP23P06V

 

 

 

 

↑ Back to Top
.