Справочник MOSFET. SM3401NSQG

 

SM3401NSQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM3401NSQG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3B-8
 

 Аналог (замена) для SM3401NSQG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM3401NSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  sino
 sm3401nsqg.pdf pdf_icon

SM3401NSQG

SM3401NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD 30V/50A, DRDS(ON) =2.8m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) =3.6m(max.) @ VGS =4.5VGSSS 100% UIS + Rg TestedDFN3.3x3.3-8(Saw-EP) Avalanche Rated Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications (4) G Power Management in Notebook Com

 8.1. Size:235K  taiwansemi
 tsm3401cx.pdf pdf_icon

SM3401NSQG

TSM3401 30V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23 Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 60 @ VGS = 10V -3.0 3. Drain -30 90 @ VGS = 4.5V -2.0 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Ordering Info

 8.2. Size:1426K  globaltech semi
 gsm3401s.pdf pdf_icon

SM3401NSQG

GSM3401S GSM3401S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3401S, P-Channel enhancement mode -30V/-4.0A RDS(ON)=65m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.2A RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.0A RDS(ON)=105m@VGS=-2.5V Super high density cell design for extremely These devi

 8.3. Size:612K  globaltech semi
 gsm3401as.pdf pdf_icon

SM3401NSQG

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3401AS, P-Channel enhancement mode -30V/-2.4 RDS(ON)=70m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-1.8 RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.2 RDS(ON)=105m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell de

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SM6027NSKP , SM6027NSU , SM6028NSFP , SM6028NSKP , SM3323NHQA , SM3323NHQG , SM3324NHQG , SM3326NHQA , RU7088R , SM4029NSK , SM4029NSKP , SM4029NSU , SM4031NHKP , SM4033NHU , SM3320NSQG , SM3322NHQA , SM6018NSKP .

History: 2N7237 | FDS6875 | FCD850N80Z | FDS4465

 

 
Back to Top

 


 
.