MXP1007AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MXP1007AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 143 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 115 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO220
MXP1007AT Datasheet (PDF)
mxp1007at.pdf
MXP1007AT 100V N-ch Power MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),max. ID[2] Proprietary New Trench Technology 100V 7.0m 143 RDS(ON),typ.=5.3m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Pa
mxp1006at.pdf
MXP1006AT100V N-Channel MOSFETApplications: Uninterruptible Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID High Speed Power Switching 100V 6m 155A High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessOrdering InformationPark Number
mxp1008at.pdf
MXP1008AT100V N-Channel MOSFETApplications: Uninterruptible Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID High Speed Power Switching 100V 8m 115A High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessOrdering InformationPark Number
mxp1015at.pdf
MXP1015AT100V N-Channel MOSFETApplications: Uninterruptible Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID High Speed Power Switching 100V 15m 82A High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessOrdering InformationPark Number
mxp1018ct.pdf
MXP1018CT Datasheet 100V N-Channel MOSFET Applications: Power Supply VDSS RDS(ON) (Max) IDa DC-DC Converters 100 V 18 m 76Features: LeadFree Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP1018 TO220 MXP Absolute Maximum Ratings Tc=2
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918