SM3381EHQG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM3381EHQG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 14.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.5 nC
Время нарастания (tr): 8.4 ns
Выходная емкость (Cd): 73 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0205 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3E-8
Аналог (замена) для SM3381EHQG
SM3381EHQG Datasheet (PDF)
sm3381ehqg.pdf
SM3381EHQGDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S2G2S2 30V/18A,RDS(ON) = 20.5m (max.) @ VGS = 10VD1D1RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VD1G1 Channel 2DFN3x3E-8_EP230V/18A,RDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 16m (max.) @ VGS = 4.5VD1 S1/D2(2)(3) (4) (9) ESD Protection 100% UIS + Rg Tested(1)G1 Reliable an
sm3380ehqg.pdf
SM3380EHQGDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S2G2S2 30V/18A,RDS(ON) = 10.8m (max.) @ VGS = 10VD1D1RDS(ON) = 17.5m (max.) @ VGS = 4.5V D1G1 Channel 2DFN3x3E-8_EP230V/18A,RDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 16m (max.) @ VGS = 4.5VD1 S1/D2(2)(3) (4) 100% UIS Tested ESD ProtectionG1 (1) Reliable and Rugged
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
