SM2307PSA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM2307PSA
Маркировка: B07*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13.3 nC
Время нарастания (tr): 13.8 ns
Выходная емкость (Cd): 205 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SM2307PSA Datasheet (PDF)
sm2307psa.pdf
SM2307PSA P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-6A , DRDS(ON)=29m (Max.) @ VGS=-4.5VSRDS(ON)=40m (Max.) @ VGS=-2.5VGRDS(ON)=60m (Max.) @ VGS=-1.8VTop View of SOT-23-3 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Powered
tsm2307cx.pdf
TSM2307 30V P-Channel MOSFET SOT-23 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Drain 95 @ VGS = -10V -3 -30 140 @ VGS = -4.5V -2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch Ordering Information Part No
gsm2307a.pdf
GSM2307A GSM2307A 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -20V/-1.8A,RDS(ON)=520m@VGS=-4.5V GSM2307A, P-Channel enhancement mode -20V/-1.5A,RDS(ON)=870m@VGS=-2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON), low gate charge. low RDS (ON) Exceptional on-resi
ssm2307gn.pdf
SSM2307GNP-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS -16VSimple Drive Requirement RDS(ON) 60mSmall Package Outline Surface Mount Device ID - 4ASSOT-23GDESCRIPTION The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. Dprovide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effec
ssm2307g.pdf
SSM2307Gwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: RU20P7C-I
