SM2311PSA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SM2311PSA
Маркировка: B11*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SM2311PSA Datasheet (PDF)
sm2311psa.pdf

SM2311PSAP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-3.8A,DRDS(ON) = 62m(max.) @ VGS =-10VSRDS(ON) = 90m(max.) @ VGS =-4.5VG ESD ProtectionTop View of SOT-23 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)Applications G Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Ba
tsm2311cx.pdf

TSM2311 20V P-Channel MOSFET SOT-23 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Drain 55 @ VGS = -4.5V -4.0 -20 85 @ VGS = -2.5V -2.5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switch PA Switch P-Channel MOSFET Orderi
gsm2311.pdf

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2311, P-Channel enhancement mode -20V/-4.0A,RDS(ON)=56m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m@VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m@VGS=1.8V gate charge. Super high density cell design for These devices are particularly suited f
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: TPC6012 | IXTP3N120 | STF8NM60ND | AOT260L | BLF6G27LS-135
History: TPC6012 | IXTP3N120 | STF8NM60ND | AOT260L | BLF6G27LS-135



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389